Electrical Properties of Nb-Doped TiO2 Thin Films Deposited by Co-sputtering Process
tr. 44-50
Lưu vào:
Tác giả chính: | Hoang, Ngoc Lam Huong, Nguyen, Minh Hieu, Nguyen, Thi Tien, Nguyen, Tran Thuat, Nguyen, Hoang Luong |
---|---|
Định dạng: | Bài trích |
Ngôn ngữ: | other |
Thông tin xuất bản: |
ĐHQGHN
2017
|
Chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/60544 |
Từ khóa: |
Thêm từ khóa bạn đọc
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên gắn từ khóa cho biểu ghi này!
|
Tài liệu tương tự
-
Structure evolution and electrical properties of lead-free Bi0.5Na0.41K0.09TiO3 piezoceramics by isovalent La doping
Thông tin tác giả:: Tran, Vu Diem Ngoc, và những người khác
Thông tin xuất bản: (2021) -
Oxidative
removal
of
rhodamine
B
over
Ti-doped
layered
zinc
hydroxide
catalysts
Thông tin tác giả:: Thao,Nguyen Tien -
ZINC-DOPED SILICENE NANORIBBONS IN THE ELECTRIC FIELD: A DFT STUDY
Thông tin tác giả:: Vo, Van On
Thông tin xuất bản: (2023) -
ZINC-DOPED SILICENE NANORIBBONS IN THE ELECTRIC FIELD: A DFT STUDY
Thông tin tác giả:: Vo Van On
Thông tin xuất bản: (2023) -
ZINC-DOPED SILICENE NANORIBBONS IN THE ELECTRIC FIELD: A DFT STUDY
Thông tin tác giả:: Vo, Van On
Thông tin xuất bản: (2023)