Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Lưu vào:
Tác giả chính: | Nguyễn Văn Sỹ |
---|---|
Ngôn ngữ: | Vietnamese English |
Thông tin xuất bản: |
2023
|
Chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://lib.yhn.edu.vn/handle/YHN/26978 |
Từ khóa: |
Thêm từ khóa bạn đọc
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên gắn từ khóa cho biểu ghi này!
|
Tài liệu tương tự
-
Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Thông tin tác giả:: Nguyễn, Văn Sỹ
Thông tin xuất bản: (2023) -
Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Thông tin tác giả:: Nguyễn, Văn Sỹ
Thông tin xuất bản: (2023) -
Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Thông tin tác giả:: Nguyễn Văn Sỹ
Thông tin xuất bản: (2023) -
Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma = Designing and setting up the scintillation detector using CsI(Tl) crystals and avalanche photodiode for gamma-ray measurement
Thông tin tác giả:: Phạm, Đình Khang, và những người khác
Thông tin xuất bản: (2023) -
Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma = Designing and setting up the scintillation detector using CsI(Tl) crystals and avalanche photodiode for gamma-ray measurement
Thông tin tác giả:: Phạm, Đình Khang, và những người khác
Thông tin xuất bản: (2023)