Band-bending Effects from Double-side Selective Doping on the Electronic Properties of Square Quantum Wells (QWs)
Lưu vào:
Tác giả chính: | Trần Thị, Hải,... |
---|---|
Định dạng: | Bài trích |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Thông tin xuất bản: |
2015
|
Chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/13768 |
Từ khóa: |
Thêm từ khóa bạn đọc
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên gắn từ khóa cho biểu ghi này!
|
Tài liệu tương tự
-
Band-bending Effects from Double-side Selective Doping on the Electronic Properties of Square Quantum Wells (QWs)
Thông tin tác giả:: Trần Thị, Hải,...
Thông tin xuất bản: (2018) -
The Mobilities of Carriers Confined in a Single-side Doped Square Quantum Wells Dependence on Temperature
Thông tin tác giả:: Tran, Thi Hai
Thông tin xuất bản: (2017) -
Quantum Confinement in Gaussian Heavily-doped ZnO Surface Quantum Wells
Thông tin tác giả:: Nguyễn Thành, Tiến
Thông tin xuất bản: (2018) -
Quantum Confinement in Gaussian Heavily-doped ZnO Surface Quantum Wells
Thông tin tác giả:: Nguyễn Thành, Tiến
Thông tin xuất bản: (2015) -
Influence of phonon confinement on cyclotron-phonon resonance in infinite square quantum well
Thông tin tác giả:: Võ, Thành Lâm, và những người khác
Thông tin xuất bản: (2023)