Emergent Properties Resulting from Type-II Band Alignment in Semiconductor Nanoheterostructures
Lưu vào:
Định dạng: | text |
---|---|
Chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://thuvien.hou.edu.vn/Opac/DmdInfo.aspx?dmd_id=21313 |
Từ khóa: |
Thêm từ khóa bạn đọc
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên gắn từ khóa cho biểu ghi này!
|
Tài liệu tương tự
-
Advanced Semiconductor Heterostructures. Vol.28, Selected Topics in Electronics and Systems : Novel Devices, Potential Device Applications and Basic Properties / Mitra Dutta, Michael A. Stroscio
Thông tin tác giả:: Dutta Mitra -
Semiconductor Nanostructures
Thông tin tác giả:: Dieter Bimberg.
Thông tin xuất bản: (2017) -
Advanced semiconductor heterostructures : novel devices, potential device applications and basic properties / [Edited by] Mitra Dutta; Michael A Stroscio
Thông tin tác giả:: Stroscio, Michael Aedited, và những người khác -
The relationship between cellulose nanocrystal dispersion and strength
Thông tin tác giả:: Cao,Yizheng -
Semiconductor physics. / P. S. Kireev; Translate from the Russian by Mark Samokhvalov
Thông tin tác giả:: Kireev, P. S., và những người khác