A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Low bandgap and line tunneling techniques have demonstrated the most effectiveness in enhancing the on-current of tunnel field-effect transistors (TFETs). This study examines the mechanisms and designs of channel-buried oxide and a laterally doped pocket for a very low bandgap line-TFET. Numerical T...
Lưu vào:
| Tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài trích |
| Ngôn ngữ: | English |
| Thông tin xuất bản: |
Trường Đại học Đà Lạt
2024
|
| Chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/256919 https://tckh.dlu.edu.vn/index.php/tckhdhdl/article/view/1313 |
| Từ khóa: |
Thêm từ khóa bạn đọc
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên gắn từ khóa cho biểu ghi này!
|